Профессиональные справочные системы для специалистов
13.02.2025
Найден способ повысить энергоэффективность технологий 3D-печати транзисторов

     Сотрудники лаборатории полупроводниковых оксидных материалов МФТИ с коллегами создали материалы на основе полупроводника - сложного оксида индия, галлия и цинка. Поиск реагентов для низкотемпературного синтеза показал, что использование глицерина и нагрев до 500 градусов Цельсия обеспечивает формирование частиц этого материала размером не более 30 нанометров. Результаты работы открывают возможности повышения доступности технологий 3D-печати транзисторов благодаря снижению энергозатрат.

          

     Исследование опубликовано в журнале Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics (http://nanojournal.ifmo.ru/en/articles-2/volume15/15-4/chemistry/paper11/). Журнал имеет Первый уровень национальной системы ранжирования научных изданий - Белого списка.

          

     Ноутбуки, смартфоны и другие сложноустроенные приборы содержат множество электронных компонентов, включая транзисторы. Транзисторы позволяют переключать отдельные элементы электрической цепи, а также усиливать либо преобразовывать электрические сигналы, например, в цифровую или звуковую форму.

     

     Первый транзистор размером в сантиметр был изготовлен в 1947 году. Дальнейшее развитие технологий пошло по пути миниатюризации устройств. Современные транзисторы имеют нанометровые размеры. Наиболее дешевый и перспективный способ их получения - струйная трехмерная печать. Для печати нужны специальные чернила. Во-первых, они должны находиться в жидком состоянии при прохождении через печатающую головку принтера, а при нанесении на подложку быстро загустевать. Во-вторых, необходимо, чтобы затвердевшая масса избирательно проводила ток, то есть была полупроводником.

     

     Для выполнения этих требований ученые МФТИ, СПбГУ, ЮУрГУ совместно с коллегами из Таджикистана исследовали процесс получения сложного оксида индия, галлия и цинка золь-гель методом. Реализация такого метода предполагает сначала синтез золя, затем его превращение в гель с последующей сушкой и термообработкой. Золем или коллоидным раствором называют жидкость, в объеме которой распределены и могут свободно двигаться наночастицы.

     

     Общеизвестно, что индий, галлий и цинк связывают из растворов ионы и молекулы других веществ, именуемых лигандами. Продуктами реакций являются различные комплексы, то есть соединения, чей состав нельзя объяснить теорией образования химических связей за счет общих пар электронов. Состав и свойства комплексов зависят от условий проведения реакций. Ученые изучили эти зависимости и определили условия синтеза наночастиц, однородных по составу и представленных нерастворимыми комплексами вышеуказанных металлов. Иными словами, был получен ряд золей при интенсивном смешивании в соотношении 1:3 водных растворов солей металлов и органических веществ: лимонной и щавелевой кислоты, этиленгликоля, глицерина, мочевины и сахарозы.     

          

      Переход из золя в гель осуществлялся путем выпаривания жидкости, в ходе которого наночастицы потеряли подвижность и сформировали пространственный каркас. После чего у геля появились свойства твердого тела: отсутствие текучести, сохранение формы, прочность и упругость. Сушку геля проводили 6-22 часа, медленно повышая температуру со 100 до 500 градусов. Затем высушенный и измельченный в порошок гель спекали при 700-1450 градусов в течение 12-24 часов и охлаждали на воздухе.

     

     С помощью рентгенофазового анализа ученые определили химический состав полученных образцов, а их поверхность изучили методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Разница между методами в том, что сканирующая электронная микроскопия предназначена для регистрации увеличенного изображения поверхности при отражении от нее пучка электронов, а просвечивающая - при прохождении пучка электронов через образец.

     

     Установлено, что использование этиленгликоля и глицерина и сушка при 500 градусов позволяет синтезировать рентгеноаморфные соединения. Последующее спекание при 700-900 градусов формирует у образцов слоистую структуру, как у сложного оксида иттербия и железа. Кристаллическая решетка образцов - ромбоэдрическая. Параметры решетки зависят от состава и формы материала и достигают наименьших значений (a=3,295 A, c=26,070 A) в условиях нагрева до 1450 градусов в течение 24 часов.

     

     Микроскопические исследования показали, что полученные образцы представляют собой агломераты из наночастиц, не имеющих специфической пространственной организации. На поверхности образцов расположены скопления частиц размером 20-30 нанометров, также есть участки из более мелких частиц. Следует отметить, что более точные изображения были получены с помощью просвечивающей электронной микроскопии.

     

     "На сегодняшний день отсутствует обоснование применения тех или иных органических лигандов для синтеза золь-гель методом сложного оксида индия, галлия и цинка, - сказал Денис Винник, заведующий лабораторией полупроводниковых оксидных материалов МФТИ. - Целью нашего исследования являлся поиск реагентов, позволяющих получить наночастицы данного оксида при наименьших температурах".

     

     "Работая с глицерином, мы при 500 градусов синтезировали наночастицы сложного оксида индия, галлия и цинка, определили тип и параметры кристаллической решетки этого оксида", - добавил Глеб Зирник, младший научный сотрудник лаборатории функциональных оксидных материалов для микроэлектроники МФТИ.

     

     Результаты, полученные научной группой, дадут возможность целенаправленно выбирать органические реагенты для синтеза золь-гель методом сложного оксида индия, галлия и цинка, тем самым повысят доступность технологий печати транзисторов благодаря снижению энергозатрат.

     

     Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ.    

          

          

     Источник:

     http://nanojournal.ifmo.ru/en/articles-2/volume15/15-4/chemistry/paper11/https://naked-science.ru/article/column/tehnologij-3d-pechati-tra